Stonehenge merupakan suatu bangunan yang dibangun pada
zaman Perunggu, dan
Neolitikum. Ia terletak berdekatan dengan
Amesbury di
Wiltshire,
Inggris, sekitar 13 kilometer (8 batu) barat laut
Salisbury. Stonehenge mencakup bangunan tambak tanah yang mengelilingi batu besar berdiri tegak dalam bulatan, yang dikenal sebagai
megalitikum. Terdapat pertikaian mengenai usia sebenarnya
lingkaran batu itu, tetapi kebanyakan
arkeolog memperkirakan bahwa sebagian besar bangunan Stonehenge dibuat antara
2500 SM sampai
2000 SM. Bundaran tambak tanah dan parit membentuk fase pembanguan monumen Stonehenge yang lebih awal yang berasal dari waktu sekitar
3100 SM.
Pada awal abad ke-20, kebanyakan dari batu-batu itu tidak lagi tegak berdiri. Hal ini kemungkinan disebabkan karena banyaknya wisatawan yang menaiki Stonehenge pada sekitar abad ke-19 karena keingin tahuan mereka yang besar. Semenjak itu, telah dilakukan tiga tahap renovasi untuk menegakkan kembali batu yang miring atau terbalik, dan untuk mengembalikan batu-batu tersebut ke tempat semula dengan teliti. Secara tidak langsung, ini berarti bentuk Stonehenge tidak lagi asli seperti asalnya seperti yang disebutkan dalam promosi pariwisata. Sebaliknya, sebagaimana peninggalan sejarah yang lain, tahap-tahap renovasi telah dilakukan.
Stonehenge merupakan nama yang diberikan kepada tugu peringatan yang dikenal sebagai
henge yang terdiri dari kurungan atau lingkaran tambak dengan parit di dalam. Sebagaimana yang sering terjadi dalam istilah arkeologi ini merupakan istilah warisan dari penguasa
zaman kuno dan sepatutnya Stonehenge tidak boleh dikelompokkan sebagai
henge sebenarnya, disebabkan tambaknya berada di bagian sebelah dalam parit. Walaupun seusia dengan
henges zaman Neolithikum yang menyerupai Stonehenge, Stonehenge mungkin memiliki keterkaitan dengan bulatan batu lain yang terdapat di
British Isle seperti
Cincin Brodgar namun ukuran
trilitonnya sebagai contoh menjadikannya unik.
Tempat ini dimasukkan dalam daftar
Warisan Dunia UNESCO pada tahun
1986.
Gambar 1 Simbol sirkit untuk transistor (a) PNP; (b) NPN Gambar dibawah memperlihatkan karakteristik keluaran yang menghubungkan arus Ic dengan tegangan Vce untuk harga arus Ib tertentu. Kurva ini menyajikan hubungan antara arus masukan di satu sisi dan arus serta tegangan keluaran di sisi yang lain. Parameter yang sangat penting bagi transistor adalah penguat arus DC, yang dikenal sebagai penguat arus statis hfe. Ini adalah penguatan transistor pada keadaan stasioner, yaitu tanpa sinyal masukan. Tidak mempunyai satuan (karena suatu perbandingan). 
Gambar 2. Karakteristik arus kolektor terhadap Vce pada transistor 2. Transistor NPN Kolektor dan emitter merupakan bahan semikonduktor jenis n dan lapisan diantaranya merupakan semikonduktor jenis p. Transistor bekerja dalam satu arah, yaitu dari kolektor menuju emitter, karena kedua terminal tersebut terbuat dari bahan yang sama. Pada dasarnya transistor dapat dianggap sebagai suatu piranti yang beroperasi karena adanya arus. Kalau alat mengalir ke dalam basis dan melewati sambungan basis emitter, suatu suplai positif pada kolektor akan menyebabkan arus mengalir antara kolektor dan emitter. Dua hal yang harus diperhatikan pada arus kolektor ini adalah: a. Untuk arus basis nol, arus kolektor turun sampai pada tingkat arus kebocoran, yaitu kurang dari 1 mikro Ampere dalam kondisi normal (untuk transistor dengan bahan dasar silicon). b. Untuk arus basis tertentu, arus kolektor yang mengalir akan jauh lebih besar daripada arus basis itu. Arus kolektor tersebut dicapai dengan: Ic = hfe x Ib. 3. Transistor Sebagai Saklar Cara yang termudah untuk menggunakan sebuah transistor adalah sebagai sebuah saklar, artinya bahwa kita mengoperasikan transistor pada salah satu dari saturasi atau titik sumbat, tetapi tidak di tempat-tempat sepanjang garis beban. Jika sebuah transistor berada dalam keadaan saturasi, transistor tersebut seperti sebuah saklar yang tertutup dari kolektor ke emitter. Jika transistor tersumbat (cutoff), transistor seperti sebuah saklar yang terbuka. 
Gambar 3. Transistor Sebagai Saklar Gambar 3. (a) menunjukkan rangkaian switching transistor. Penjumlahan tegangan sekitar loop input memberikan: 
Jika arus basis lebih besar atau sama dengan Ib (sat), titik kerja Q berada pada ujung atas garis beban (gambar 1. (b)). Dalam hal ini transistor bekerja pada ujung bawah dari garis beban, dan transistor terlihat seperti sebuah switch yang terbuka.
